细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
碳化硅砂浆加工工艺
顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术
2 天之前 日本DISCO公司研发出了一种称为关键无定形黑色重复吸收(key amorphousblack repetitive absorption,KABRA)的激光切割技术，以加工直径6英寸、厚度20mm的碳化硅晶 2024年1月19日 碳化硅衬底切割技术中的砂浆线切割，其基本原理是利用高速运动的钢线在砂浆的辅助下，对碳化硅衬底进行磨削以达到切割的目的。 这里的砂浆主要起到研磨剂 碳化硅衬底切割：科技之刃，产业之翼（上） ROHM技术社区
浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 百家号
2024年4月18日 浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 碳化硅（SiC）因卓越性能成为电力电子器件的理想材料。 其生产工艺涉及原料准备、热处理、晶体生长、切片打磨、器 2020年2月18日 本技术简化了晶硅切割废砂浆传统回收方法中对硅与碳化硅分别提取的复杂工艺过程，且使得晶硅切割废砂浆能够直接制备碳化硅纳米晶须；本技术在制得碳化硅 碳化硅浆料配方工艺技术
碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 艾邦半导体网
2 天之前 本文以研究第三代半导体碳化硅衬底磨抛加工 技术为目的，综述了机械磨抛技术、化学反应磨抛技 术的进展 根据去除机理的不同，划分并总结现有磨 抛技术的特点：传统机械磨抛拥有较高的材料去除 率，但是其加工质量较差，且损伤严重；而化学腐蚀 反应磨 2 天之前 碳化硅衬底加工过程中，除了改善切割工艺外，一般还会在切割时会留有余量，以便在后续研磨抛光过程中减小TTV、BOW、Warp的数值。 END 为了促进行业交流和发展，艾邦新建碳化硅功率半导体产业链微信群，欢迎碳化硅前道材料与加工设备，后道器件生产和模块封装的行业朋友一起加入讨论。碳化硅晶圆减薄工艺中的重要指标 艾邦半导体网
碳化硅衬底切割：科技之刃，产业之翼（上） ROHM技术社区
2024年1月19日 碳化硅衬底切割技术中的砂浆线切割，利用高速运动的钢线在砂浆辅助下进行磨削，达到切割目的。砂浆作为研磨剂，通过电火花放电腐蚀作用切削材料。虽然砂浆线切割具有高光洁度表面质量，但速度慢、操作成本高，且不适用于所有碳化硅衬底。2023年11月5日 碳化硅切割碳化硅主流的切割方式分为砂浆线切割、金刚线切割、激光切割（水导激光、激光剥离、激光冷切割）。对于国内厂商而言，砂浆线切割技术已应用于绝大部分碳化硅衬底厂商，金刚线切割技术也成为了主流迭代方案。尽管金刚线相较于砂浆线切割优势明显，但仍存在一些问题：1、加碳化硅切割技术比较（资料） 碳化硅切割碳化硅主流的切割
碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案发展加工的表面
2022年10月28日 碳化硅单晶衬底多线切割液 目前切割碳化硅的主流方法是砂浆线切割(游离磨粒线切割)，砂浆线切割(游离磨粒线切割)是指在加工过程中切割线往复高速运动，在晶棒和切割线处喷入切割液，高速运动的切割线将磨料带到加工区域，实现材料的切割。2023年5月18日 1）加工效率较低，碳化硅晶锭长度较短，使用多线切割技术需要先将多个晶锭进行拼接，降低了加工效率； 2）材料损耗率高，加工过程中切割线会将部分碳化硅材料削磨成碎屑从而产生锯口损失，并且高速运动会在表面形成粗糙切痕，材料损耗率高 碳化硅材料切割的下一局：激光切割 电子工程专辑 EE
碳化硅砂浆加工工艺
碳化碳化硅砂浆提高碳化硅聚乙二醇和碳化碳化硅砂浆制造加工。[摘要]本技术涉及硅晶圆线切割领域,提供了一种硅晶圆线切割废砂浆中聚乙二醇和碳化硅回收利用的方法,它将单晶硅片加工工艺中的线切割废砂浆先添加降黏剂,进行固液分离。2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。 离子注入是一种向半导体材料内部加入特 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
氮化镓(gan)和碳化硅(sic)芯片的生产工艺流程概述说明
氮化镓(gan)和碳化硅(sic)芯片的生产工艺流程概述说明31 材料选择与准备在碳化硅芯片的生产工艺中，材料的选择和准备是非常重要的一步。首先，需要选取优质的碳化硅粉末作为原料。这些粉末需要通过精细研磨和筛分来确保其粒度合适。2024年2月29日 碳化硅籽晶是晶体生长的基底，为晶体生长提供基础晶格结构，同样也是决定晶体质量的核心原料。 籽晶位于反应器内部或原料上方。 03 晶体生长 SiC晶体生长是SiC衬底生产的核心工艺，核心难点在于提升良率。 目前SiC晶体的生长方法主要有物理气相 碳化硅SiC衬底生产工艺流程与革新方法 模拟技术 电子
浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 百家号
2024年4月18日 三、Acheson工艺 Acheson工艺是一种传统的SiC生产方法。在此过程中，将混 合好的硅砂和碳素材料填充在特制的石墨坩埚中，利用电弧炉产生的高温进行反应。炉温在反应区可达2400°C，这时硅砂和碳在石墨电极的电场作用下发生反应，生成碳化硅。知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
砂浆线切割技术研究综述
2014年5月5日 本文主要从砂浆线切割的模型和原理，张力控制系统类型和发展方向，影响砂浆中性能的因素，及控制措施；砂浆回收再利用等方面进行了阐述，以期推进砂浆线切割技术的深入研究，指导实际生产。 在砂浆线切割硅棒过程中，碳化硅颗粒在硅棒和钢线之间 知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
切割工艺参数对6英寸N型碳化硅晶片的影响 电子发烧友网
2023年8月9日 采用砂浆多线切割工艺加工6英寸（1英寸=254 mm）N型碳化硅晶体，研究了此工艺中钢线张力、 线速度、进给速度等切割参数对晶片切割表面的影响。通过优化切割工艺参数，最终得到高平坦度、低翘曲度、 低线痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎2021年12月16日 摘 要:碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅 进一步探索碳化硅（SiC）衬底，未来大哥是谁！碳化硅砂浆加工工艺
淄博金晶川新材料科技有限公司
淄博金晶川新材料科技有限公司是以生产黑碳化硅为主的高新技术企业，拥有国内先进的碳化硅微粉生产线及工艺技术。主要产品有碳化硅、黑碳化硅、绿碳化硅、碳化硅微粉、碳化硅粒度砂、耐火材料等，厂家直销，价 知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
黑碳化硅生产工艺进行冶炼高温
2024年1月12日 黑碳化硅磨料硬度高、化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，可用于抛光研磨材料、耐火材料、冶金选矿等行业，那么黑碳化硅的工艺及用途有哪些呢？冶炼后的成品是碳化硅块。 3、细碎：碳化硅经过粗碎后，就以碳化硅材料为衬底的 产业链 主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的器件制造以及下游应用市场。 在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法长 (CVD法)在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。 碳化硅衬底的下游产业链如下 第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链
碳化硅的生产工艺 百度文库
具体工艺如下： 碳化硅的生产工艺2反应器装填：将处理好的基材放入CVD反应器中，并将反应器加热至合适的温度。 3反应气体供应：将含有碳源和硅源的气体以一定流速供应进入反应器，同时控制反应温度、压力和气体比例。 4气相反应：碳源和硅源的气体 2023年12月11日 在4HSiC的切片等加工工艺中，材料主要通过脆性断裂模式去除，这不可避免地会在表面下方引入微裂纹，造成材料的SDs和SSDs。 表1列出了金刚线锯切片和游离砂浆线锯切片两种切片方法的主要切削方式及其在4HSiC中产生的损伤层的缺陷类型。论文推介丨碳化硅晶圆的表面/亚表面损伤研究进展 新闻通知
金刚线切割单晶硅片工艺技术理论研究百度文库
图1 砂浆切割方式 砂浆切割工艺是一种游离式切割方式。该工艺以结构线为基体，莫氏硬度为 95 的碳化硅（ SiC）作为切割刃料，结构线在高速运动过程中带动切割液和碳化硅混合的砂浆进行摩擦，利用碳化硅的研磨作用达到切割效果。金刚石线切割与砂浆线切割针对碳化硅晶体的优缺点分析 知乎 2021年10月10日 针对碳化硅的多线切割工艺，主要存在金刚石线切割及油砂线切割两种不同的切割方式。 1、出片率分析，金刚线切割锯缝损耗比油砂线大，最终出片率油砂线 2021年12月16日 摘 要:碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统 碳化硅砂浆加工工艺
碳化硅衬底切割行业分析报告：8英寸碳化硅衬底的历史机遇
2023年4月28日 最 先投入生产的砂浆线切割工艺成熟度高，约 90%的碳化硅衬底厂商仍以 砂浆切割为主，相关厂商包括宇晶股份等。 但是砂浆线切割速度低、切 割良率低，并且存在污染的可能性，不利于碳化硅衬底厂商实现进一步 降本。2023年8月8日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。碳化硅晶圆产业链的核心：外延技术 电子工程专辑 EE
碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
2023年7月14日 因为碳化硅在生产环节存在单晶生产周期长、环境要求高、良率低等问题，碳化硅衬底的生产中的长晶环节需要在高温、真空环境中进行，对温场稳定性要求高，并且其生长速度比硅材料有数量级的差异。因此，碳化硅衬底生产工艺难度大，良率不高。2023年5月5日 采用砂浆多线切割工艺加工6英寸（1英寸=254 mm）N型碳化硅晶体，研究了此工艺中钢线张力、 线速度、进给速度等切割参数对晶片切割表面的影响。通过优化切割工艺参数，最终得到高平坦度、低翘曲度、 低线痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。碳化硅晶片的磨抛工艺详解 模拟技术 电子发烧友网
碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 艾邦半导体网
2 天之前 本文以研究第三代半导体碳化硅衬底磨抛加工 技术为目的，综述了机械磨抛技术、化学反应磨抛技 术的进展 根据去除机理的不同，划分并总结现有磨 抛技术的特点：传统机械磨抛拥有较高的材料去除 率，但是其加工质量较差，且损伤严重；而化学腐蚀 反应磨 2 天之前 碳化硅衬底加工过程中，除了改善切割工艺外，一般还会在切割时会留有余量，以便在后续研磨抛光过程中减小TTV、BOW、Warp的数值。 END 为了促进行业交流和发展，艾邦新建碳化硅功率半导体产业链微信群，欢迎碳化硅前道材料与加工设备，后道器件生产和模块封装的行业朋友一起加入讨论。碳化硅晶圆减薄工艺中的重要指标 艾邦半导体网
碳化硅衬底切割：科技之刃，产业之翼（上） ROHM技术社区
2024年1月19日 碳化硅衬底切割技术中的砂浆线切割，利用高速运动的钢线在砂浆辅助下进行磨削，达到切割目的。砂浆作为研磨剂，通过电火花放电腐蚀作用切削材料。虽然砂浆线切割具有高光洁度表面质量，但速度慢、操作成本高，且不适用于所有碳化硅衬底。2023年11月5日 碳化硅切割碳化硅主流的切割方式分为砂浆线切割、金刚线切割、激光切割（水导激光、激光剥离、激光冷切割）。对于国内厂商而言，砂浆线切割技术已应用于绝大部分碳化硅衬底厂商，金刚线切割技术也成为了主流迭代方案。尽管金刚线相较于砂浆线切割优势明显，但仍存在一些问题：1、加碳化硅切割技术比较（资料） 碳化硅切割碳化硅主流的切割
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